Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Диоды Шоттке КДШ2104А-5, КДШ2104Б-5, КДШ2104В-5
Связаться с менеджером
Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2104А-5, КДШ2104Б-5, КДШ2104В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.
Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Значение параметра | ||
Мин. | Типовое | Макс. | ||
Постоянный обратный ток диода, | Iобр |
- |
- |
0,5 |
(tи 300 мкс, Q 100), мА | ||||
(Uобр = 40 В) КДШ2104А-5 | ||||
(Uобр = 60 В) КДШ2104Б-5 | - | - | 0,5 | |
(Uобр = 100 В) КДШ2104В-5 | - | - | 0,5 | |
Постоянное прямое напряжение диода | Uпр |
- |
- |
0,55 |
(Iпр = 5 А, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2104А-5 |
||||
КДШ2104Б-5 | - | - | 0,67 | |
КДШ2104В-5 | - | - | 0,79 | |
Пробивное напряжение диода | Uпроб |
40 |
- |
- |
(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q 100), В
КДШ2104А-5 |
||||
КДШ2104Б-5 | 60 | - | - | |
КДШ2104В-5 | 100 | - | - | |
Общая емкость диода (Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ | Сд | - | - | 400 |
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение параметра | Норма | ||
КДШ2104А-5 | КДШ2104Б-5 | КДШ2104В-5 | ||
Максимально допустимое обратное напряжение диода, В | Uобр,max | 40 | 60 | 100 |
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода
(Q > 2, f = 15 Гц), В |
Uобр,и,п,max | 40 | 60 | 100 |
Максимально допустимый средний прямой ток диода
(Тср 25 С, f 15 Гц, Q 2), А * |
Iпр,ср,max | 5 | 5 | 5 |
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода
(Тср 25 С, Q 2, f 15 Гц), А * |
Iпр,и,п,max |
20 |
20 |
20 |
Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны длительностью 5 мс
(Тср 25 С), А |
Iпр,и,нп,max |
250 |
250 |
250 |
Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер,max | 150 | 150 | 150 |
* При сборке в корпус КТ-28-1 |