Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т913В
Под заказ
Связаться с менеджером
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «2Т913В» в металлическом корпусе предназначен для использования в усилителях мощности, умножителях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального применения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С.
Обозначение технических условий
- Я53.365.010ТУ,
- Я53.365.010ТУ/Д1
Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.
| Параметры | Буквенное обозначение | Единица измерения | Значение |
| Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 55 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10Ом) | Uкэ max | В | 55 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | С | 3,5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 1 |
| Температура перехода | Тj | C | 150 |
