Нет фото

Кремниевый биполярный транзистор 2Т672А-2

Average: 7.4 (5 votes)
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные n-p-n транзисторы "2Т672А-2" предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.592 ТУ. Корпусное исполнение - бескорпусное исполнение.

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 50 В IКБ0 - 10  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В IЭБ0 - 50  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 3 В, IК = 500 мА, n 30 мкс, Q 50) h21Э 30 120  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц fгр 200    
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 UКЭ нас - 0,6  
Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 UБЭ нас - 1,2  
Граничное напряжение, В, при IБ = 0, IЭ = 10 мА, n 30 мкс, Q 50 UКЭОгр 36 -  
Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц Ск - 12  
Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц Сэ - 110  
Время рассасывания, нс при IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, n 30 мкс, Q 50 tрас - 100