Нет фото

Прецизионные источники опорного напряжения 142ЕР2Н4ИМ

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Микросхемы интегральные "142ЕР2Н4ИМ" - регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения, в частности, для работы в источниках вторичного электропитания. Категория качества ВП.

Обозначение технических условий АЕЯР.431420.365-01ТУ. Диапазон рабочих температур от – 60 до + 125С. Корпусное исполнение: кристаллы на общей пластине.

Требования по стойкости к воздействию специальных факторов

Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7И1,7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4 - по группе исполнения 1Ус, 7К1, 7К4 - по группе исполнения 1К.

Требования к специальным факторам с характеристиками 7И4, 7И10, 7И11, 7С3, 7С6, 7К3, 7К6, 7К9, 7К10, 7К11, 7К12 не предъявляются.

Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов с характеристиками 7И1, 7И6 временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность восстанавливается.

Уровень бессбойной работы по характеристике 7И8 должен быть не хуже 0.001х1Ус.

Критерием работоспособности микросхем является параметр относительное изменение минимального напряжения стабилизации UК min и приводится в ТУ исполнения.

Микросхемы обладают электрической прочностью к воздействию одиночных импульсов напряжения с параметрами: длительность импульса 1 мкс.

Требования по надежности

Наработка до отказа в режимах и условиях эксплуатации, допускаемых ТУ, при температуре окружающей среды не более (65+5)С не менее 100000 ч и не менее 120000 ч в следующем облегченном режиме: Токр = (65+5)С, Р.

Указания по эксплуатации

При монтаже микросхем должны исключаться передача усилий на корпус микросхемы, а также попадание на корпус флюса и припоя.
Порядок подачи и снятия входных сигналов на микросхемы должен быть следующим:

  1. на анод;
  2. на управляющий электрод;
  3. на катод;
  4. снятие в обратном порядке.

Обозначение микросхем при заказе: микросхема 142ЕР2Н4ИМ АЕЯР.431420.365-01 ТУ, РД 11 0723.

Технические харатеристики
Параметры Значение
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла, мм 0,85х0,85
Толщина пластины, мм 0,35
Металлизация планарной стороны Al
Непланарная сторона подложка p-типа
Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло