Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Транзистор КТ8301А9
Связаться с менеджером
Транзисторы КТ8301А9 предназначены для применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, пониженного и повышенного давления, солнечной радиации.
Особенности
- Диапазон рабочих температур от - 45 до +125 C
Номер технических условий
- АДКБ.432140.339 ТУ
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпусКТ-89 (DPAK)
Площадка | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
Наименование | Значение характеристики |
Диаметр пластины, мм | 100 |
Размер кристалла (на пластине), мм | 3,0 3,0 |
Размер контактной площадки эмиттер, мм | 1,9 х 0,65 |
Размер контактной площадки база, мм | 1,0 х 0,61 |
Ширина скрайберной дорожки, мкм | 80 мкм |
Металлизация планарной стороны | Al |
Металлизация непланарной стороны | Ti-Ni-Ag |
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Обозначение | Норма |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ = 100 Ом), В | UКЭ max | 160 |
Максимально допустимое постоянное напряжение база-эмиттер, В | UЭБ mах | 5 |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IК mах | 10 |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IК, и mах | 12 |
Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ mах | 1,0 |
Максимально допустимый прямой ток диода, А | IПР, mах | 10 |
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А | IПР, и mах | 12 |
Максимально допустимая температура перехода, С | Тпер mах | 175 |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора *, **
(при температуре корпуса от минус 45 до 25 С), Вт |
РК max | 30 |
* В составе гибридной сборки, обеспечивающей тепловое сопротивление RQ-пер-кор
** При температуре корпуса Ткор от 25 С до 125 С РК max рассчитывают по формуле РК max = (175 - Ткор)/ RU пер-кор. |
Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, (корпуса), С | |
не менее | не более | |||
Обратный ток коллектора | IКЭR | - | 0,1 | 25 |
(UКЭ = 160 В, RБЭ = 100 Ом), мА | - | 5,0 | 125* | |
- | 1,0 | -45* | ||
Обратный ток эмиттера
(UЭБ = 5 В, IК = 0), мА |
IЭБО | - | 0,1 | 25 |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером**
(UКЭ = 2 В, IК = 5 А, tи 50) |
h21Э | 100 | - | 25 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IК = 0,27 А, IБ = 0,002 А, tи 50), В |
UКЭ нас | - | 0,4 | 25 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IК = 5 А, IБ = 0,1 А, tи 50), В |
UКЭ нас | - | 0,5 | 25 |
Напряжение насыщения база-эмиттер
(IК = 1,5 А, IБ = 0,15 А, tи 50), В |
UБЭ нас | - | 0,9 | 25 |
Граничное напряжение
(IК = 0,1 А, tи 50), В |
UКЭО гр | 70 | - | 25 |
Постоянное прямое напряжение диода
(IЭ = 5 А, tи 50), В |
Uпр | - | 1,8 | 25 |
* Параметры, проверяемые в составе ГС
** UКБ = 1 В; IЭ = 5А. |